產(chǎn)品概述：

   本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、高精度電源、高斯計(jì)、高精度恒流源、高精度電壓表、 霍爾探頭、電纜、標(biāo)準(zhǔn)樣品、樣品安裝架、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍耳測量復(fù)雜的切矩陣開關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。JH10 可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性*的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等等。

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技術(shù)指標(biāo)：

* 磁 場： 間距 10mm 情況下 10700 高斯， 間距 20mm 情況下 7000 高斯。

* 樣品電流：50nA~50mA（小可調(diào)節(jié)電流為 0.1nA）

* 測量電壓：0.1uV~30V

* 提供各類測試標(biāo)準(zhǔn)材料，各級別霍爾器件（靈敏度與精度不同）

* 小分辨率： 1GS

* 磁場范圍：0-±1T

* 配合高斯計(jì)或數(shù)采板可與計(jì)算機(jī)通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等 ▲ 電阻率范圍：10-7~1012 Ohm*cm

* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度：103~1023cm-3

* 遷移率：0.1~108cm2/volt*sec

* 測試全自動(dòng)化，一鍵處理

* 專業(yè)的歐姆接觸組合套件

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自動(dòng)化霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)組成：

高精度度磁鐵電源:

※ 雙極性恒流輸出

① 電源輸出電流可在正負(fù)額定大電流之間連續(xù)變化

② 電流可以平滑過零點(diǎn)，非開關(guān)換向

③ 輸出電流、電壓四象限工作（適合感性負(fù)載）

④ 電流變化速率可設(shè)置范圍為 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.為額定大輸出電流）

※ 電流穩(wěn)定度高，紋波低

①電流穩(wěn)定度：優(yōu)于±25ppm/h（標(biāo)準(zhǔn)型）；優(yōu) 于±5ppm/h（高穩(wěn)型） ② 電流準(zhǔn)確度：±（0.01%設(shè)定值+1mA） ③ 電流分辨率：20 bit，例 15A 電源，電流分辨率為 0.03mA

④ 源效應(yīng)：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供電電壓變化 10%時(shí)，輸出電流變化量）

⑤ 負(fù)載效應(yīng)：≤ 2.0×10-5 F.S.（在負(fù)載變化 10%時(shí)，輸出電流變化量）

⑥ 電流紋波（RMS）：小于 1mA

霍爾樣品架:

用于固定，焊接霍爾器件，四探針壓點(diǎn)使接觸更方便牢。高高精度高斯計(jì)：分辨力：0.01Gs，量程：0-±3T，精度：0.1% ，標(biāo)準(zhǔn) 232 數(shù)字接口與控制端口。

電壓電流數(shù)采儀：

恒流源量程：±50nA-±50mA，分辨力 0.1nA 在量程范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)，高 精 度 電 壓 數(shù) 采 儀 范 圍 0. 1uV-30V，精度：.01%內(nèi)置測試矩陣轉(zhuǎn)換卡，

電磁鐵：

極頭直徑 50mm.NS間距10mm時(shí)大磁場 1.07T，間距 20mm 時(shí)大磁場 0.7T，可實(shí)現(xiàn)在大磁場范圍內(nèi)連續(xù)，變化（可調(diào)）自重 30 公斤。

歐姆接觸套件 ：

專業(yè)做歐姆接觸用銦片以及相，應(yīng)焊接套裝，材料標(biāo)準(zhǔn)樣片，硅片，砷化鎵 2 阻值：300-500 歐姆。

測試系統(tǒng)軟件：

定位采集，數(shù)字溫度顯示， I-V，曲線及 I-R 曲線測量，得到體載，流子濃度等各類參數(shù)曲線圖形。

可測試材料:

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料， 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料， 高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等

樣品測試：

設(shè)置控制電流、磁場和霍爾片厚度，點(diǎn)擊“開始測試"按鈕，軟件將完成一鍵測試過程，直至計(jì)算出所有霍爾參數(shù)。每次測試完后，可選擇保存該計(jì)算結(jié)果值，然后點(diǎn)擊“清除顯示"按鈕，以進(jìn)入下一次測試。

若保持磁場大小不變，改變控制電流的大小，可通過畫圖操作觀察 Is 與 VH的關(guān)系；若保持控制電流大小不變，改變磁場的大小，可通過畫圖觀察 B 與 VH 的關(guān)系。